http://www.ekouhou.net/%E9%8A%85%E8%86%9C%E3%81%AE%E3%82%A2%E3%83%8B%E3%83%BC%E3%83%AB%E6%96%B9%E6%B3%95%E3%80%81%E3%82%A2%E3%83%8B%E3%83%BC%E3%83%AB%E3%81%95%E3%82%8C%E3%81%9F%E9%8A%85%E9%85%8D%E7%B7%9A%E3%81%8A%E3%82%88%E3%81%B3%E3%81%93%E3%81%AE%E9%8A%85%E9%85%8D%E7%B7%9A%E3%82%92%E6%9C%89%E3%81%99%E3%82%8B%E3%83%87%E3%83%90%E3%82%A4%E3%82%B9/disp-A,2010-80949.html WebJan 31, 2024 · アニールを実施すると、半導体ウェハ160の下面160b近傍で下部電極118が瞬間的に溶融する。 その結果、下部電極118を形成した範囲では、下部電極118を構成する材料と半導体ウェハ160(すなわち、SiC)とが合金化する。
高配向 Cu 膜の熱安定性と内部応力 - 日本郵便
WebしたCu配線のそれよりも著しく低減できるというチップでの基礎データをもとに、1)高純度めっき材 ... 技術ノード28nmレベルCu配線を、高純度めっき材料を用いて作製し、最適アニールにより幅30nmCu 配線の抵抗率を、現状プロセス品に比べて約30%低減できる ... Web絶縁膜に代えて、配線抵抗の低減に向けた銅 (Cu)配線の導入、並びに配線間容量の低減に向けた低誘電率材料 ... て、上層部の配線形成プロセスを実行して形成した 多 層配線構造に対して、吸湿低減アニールプロセスを上 層配線形成後に実施することにより ... gcse in england 2022
WO2011033920A1 - Cu配線の形成方法 - Google Patents
WebDowntown Macon. 577 Mulberry Street Suite 100 Macon, GA. 31201. Hours: Monday-Friday: 8:30am - 5:00pm Saturday-Sunday: Closed Web【0028】 すなわち、本発明では、Cuダマシン配線を用いた半導体装置の製造方法において、Cu メッキ成長直後の高温アニール工程やその後の熱処理工程ではアニール温度に制限を加え ず、別途、半導体装置を室温より低い温度まで冷却する冷却処理を追加することにより、 Cuの配線内やビア内に残留した引っ張り応力を緩和し、配線欠陥を低減すること … WebOct 20, 2024 · シングルダマシンCu配線の導入; Cu配線を更に延命させる為の開発中の技術 レーザーアニールによるCu配線抵抗低減技術; グラフェンキャップによるCu配線抵抗低減技術; ハイブリッドCu配線技術による微細化促進; 酸素を含まない低誘電率絶縁膜技術 gcse in health and social care